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Q: | 半導体発熱量 (w) | |||||
a: | 周囲 | Ta: | 周期温度 [℃] | Rth(f-a): | 半導体取付面 − 周囲間熱抵抗 (ヒートシンクの熱抵抗) |
[℃/W] |
f: | 半導体取付面 | Tf: | 取付け面温度 [℃] | Rth(c-f): |
半導体ケース − 取付面間熱抵抗 | |
c: | 半導体ケース | Tc: | ケース温度 [℃] | @接触熱抵抗 グリス有り・なし | [℃/W] | |
j: | 半導体接合部 (ジャンクション) |
Tj: | 接合部温度 [℃] | A絶縁低熱抵抗 グリス有り・なし (接触熱抵抗含む) |
[℃/W] | |
△ T( ): | それぞれの各部の温度差 [℃] | Rth(j-c): | 接合部 − ケース間熱抵抗 | [℃/W] | ||
ヒートシンク選定式 |
設定例として | ||||||||||||||||||||||||||||||
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